CMOS反相器
靜態(tài)特性
- 輸出低電平可以到0
- 邏輯電平與器件的相對尺寸無關(guān)。
可以采用最小尺寸
- 噪聲干擾小
- ★輸出阻抗較低
- ★輸入電流幾乎為0
- ★靜態(tài)功耗幾乎為0
動態(tài)特性
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★Pmos的特性轉(zhuǎn)換到第一象限
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靜態(tài)工作點(diǎn) $ I_d ~~ V_{out} $
- 由PMOS和NMOS的電流必須相等得到。
- 由PMOS和NMOS的電流必須相等得到。
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★傳輸特性曲線 $ V_{out} ~~ V_{in} $
- 關(guān)注管子的工作情況
- 開關(guān)閾值電壓 = 輸入電壓與輸出電壓相等
- 關(guān)注管子的工作情況
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瞬態(tài)特性
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瞬態(tài)特性主要有門的輸出電容 C L C_L CL?決定
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★ C L C_L CL?來源于擴(kuò)散電容、連線電容以及扇出門的輸入電容
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簡化開關(guān)
輸出高電平 = C L C_L CL?充電。
輸出低電平 = C L C_L CL?放電。 -
如何提高速度
減小 C L C_L CL?、減小導(dǎo)通電阻。
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開關(guān)閾值
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最低輸入高電平、最高輸入低電平
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★求 V M V_M VM?
- 求兩個管子電流
- 令兩個管子都飽和求輸出電壓
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★r的計算
- 取決于尺寸
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?當(dāng)Vdd很大時,開關(guān)閾值取決于r
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★提高開關(guān)閾值
提高 → r → 提高尺寸
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★給定 V M V_M VM?計算 ( W / L ) p (W/L)_p (W/L)p?
要求NMOS尺寸最小 ( W / L ) n (W/L)_n (W/L)n? = 1.5
按照下式子文章來源:http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-696568.html
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V M V_M VM?的特性文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-696568.html
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V
M
V_M
VM?和PMOS和NMOS的尺寸比關(guān)系
- ★閾值電壓 V M V_M VM?對NMOS和PMOS的尺寸比不敏感
- ★PMOS管的寬度可以小于完全對稱時的寬度
- ★開關(guān)閾值高,抗干擾能力強(qiáng)
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