国产 无码 综合区,色欲AV无码国产永久播放,无码天堂亚洲国产AV,国产日韩欧美女同一区二区

CMOS反相器

這篇具有很好參考價值的文章主要介紹了CMOS反相器。希望對大家有所幫助。如果存在錯誤或未考慮完全的地方,請大家不吝賜教,您也可以點(diǎn)擊"舉報違法"按鈕提交疑問。

CMOS反相器

靜態(tài)特性

  • 輸出低電平可以到0
  • 邏輯電平與器件的相對尺寸無關(guān)。

    可以采用最小尺寸

  • 噪聲干擾小
  • ★輸出阻抗較低
  • ★輸入電流幾乎為0
  • ★靜態(tài)功耗幾乎為0

動態(tài)特性

  • ★Pmos的特性轉(zhuǎn)換到第一象限

    反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝

  • 靜態(tài)工作點(diǎn) $ I_d ~~ V_{out} $

    • 由PMOS和NMOS的電流必須相等得到。
      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝
  • ★傳輸特性曲線 $ V_{out} ~~ V_{in} $

    • 關(guān)注管子的工作情況
      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝
    • 開關(guān)閾值電壓 = 輸入電壓與輸出電壓相等
  • 瞬態(tài)特性

    • 瞬態(tài)特性主要有門的輸出電容 C L C_L CL?決定

    • C L C_L CL?來源于擴(kuò)散電容、連線電容以及扇出門的輸入電容

    • 簡化開關(guān)

      輸出高電平 = C L C_L CL?充電。
      輸出低電平 = C L C_L CL?放電。
      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝

    • 如何提高速度

      減小 C L C_L CL?、減小導(dǎo)通電阻。

  • 開關(guān)閾值

    • 最低輸入高電平、最高輸入低電平

      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝

    • ★求 V M V_M VM?

      • 求兩個管子電流
      • 令兩個管子都飽和求輸出電壓
        反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝
    • ★r的計算

    • 取決于尺寸
      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝
    • ?當(dāng)Vdd很大時,開關(guān)閾值取決于r

    • ★提高開關(guān)閾值

      提高 → r → 提高尺寸

    • ★給定 V M V_M VM?計算 ( W / L ) p (W/L)_p (W/L)p?

      要求NMOS尺寸最小 ( W / L ) n (W/L)_n (W/L)n? = 1.5
      按照下式子
      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝

    • V M V_M VM?的特性文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-696568.html

    • V M V_M VM?和PMOS和NMOS的尺寸比關(guān)系
      反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝
    • ★閾值電壓 V M V_M VM?對NMOS和PMOS的尺寸比不敏感
    • ★PMOS管的寬度可以小于完全對稱時的寬度
    • ★開關(guān)閾值高,抗干擾能力強(qiáng)
    • 反相器的翻轉(zhuǎn)電壓怎么算,筆記,單片機(jī),stm32,嵌入式硬件,硬件工程,pcb工藝

到了這里,關(guān)于CMOS反相器的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容,請在右上角搜索TOY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關(guān)文章,希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)!

本文來自互聯(lián)網(wǎng)用戶投稿,該文觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表本站立場。本站僅提供信息存儲空間服務(wù),不擁有所有權(quán),不承擔(dān)相關(guān)法律責(zé)任。如若轉(zhuǎn)載,請注明出處: 如若內(nèi)容造成侵權(quán)/違法違規(guī)/事實(shí)不符,請點(diǎn)擊違法舉報進(jìn)行投訴反饋,一經(jīng)查實(shí),立即刪除!

領(lǐng)支付寶紅包贊助服務(wù)器費(fèi)用

相關(guān)文章

  • 數(shù)字世界的積木-從MOS管搭反相器,與非門,鎖存器,觸發(fā)器

    數(shù)字世界的積木-從MOS管搭反相器,與非門,鎖存器,觸發(fā)器

    NMOS管的結(jié)構(gòu)示意圖和表示符號如圖所示,在P型襯底上制作兩個摻雜N型區(qū),形成MOS管的源極S 和漏極D ,中間電極稱為柵極G,柵極和襯底之間通過SiO2 絕緣層隔開。 下圖為NMOS輸出特性曲線,采用共源極接法,漏極特性曲線可分為三個工作區(qū),截止區(qū),可變電阻區(qū),飽和區(qū) 當(dāng)

    2024年02月01日
    瀏覽(23)
  • 怎么理解電流超前電壓、電壓超前電流?

    怎么理解電流超前電壓、電壓超前電流?

    電容和電感,電壓超前電流,電流超前電壓都是我們經(jīng)常聽到的。作為非專業(yè)人士,這些聽起來確實(shí)有點(diǎn)摸不著頭腦,今天特別查了下電容、電感、電壓電流相關(guān)資料,總算是弄明白了,在此特地記錄下! 什么是電容呢?其實(shí)它的構(gòu)成很簡單,就是由兩塊金屬電極之間夾一塊

    2024年02月07日
    瀏覽(22)
  • 【模擬CMOS集成電路設(shè)計】學(xué)習(xí)筆記(一)

    ??持續(xù)更新,若有后續(xù)更新,更新鏈接將附于文末,后續(xù)有時間會對內(nèi)容更新。 ??放大器放大的是小信號,只有在特定的靜態(tài)工作點(diǎn)下,小信號放大才有意義,因此一些小信號指標(biāo)常與某個DC點(diǎn)相關(guān)聯(lián),若小信號幅度超過系統(tǒng)輸入范圍要求,則將會發(fā)生線性失真,合適的

    2024年02月10日
    瀏覽(100)
  • 「基礎(chǔ)篇」TTL與CMOS電平的區(qū)別(電平轉(zhuǎn)換)-學(xué)習(xí)筆記

    「基礎(chǔ)篇」TTL與CMOS電平的區(qū)別(電平轉(zhuǎn)換)-學(xué)習(xí)筆記

    一、TTL電平與CMOS電平的定義 常用的邏輯電平 邏輯電平:有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL;RS232、RS422、LVDS等。 其中TTL和CMOS的邏輯電平按典型電壓可分為四類:5V系列(5V TTL和5V CMOS)、3.3V系列,2.5V系列和1.8V系列。 5V TTL和5V CMOS邏輯電平是通用的邏輯電平。 3.3V及以下的邏輯電

    2024年02月06日
    瀏覽(19)
  • 學(xué)習(xí)筆記:CMOS、MOS、NMOS、PMOS、MOSFET等的區(qū)別

    學(xué)習(xí)筆記:CMOS、MOS、NMOS、PMOS、MOSFET等的區(qū)別

    復(fù)習(xí)時 發(fā)現(xiàn)連基礎(chǔ)概念都不知道,連忙來找補(bǔ) 把P型半導(dǎo)體放入電場中,根據(jù)同電荷排斥、異電荷吸引,電荷情況如下: 這種效應(yīng)稱為電場效應(yīng)(Field Effect),依據(jù)這種現(xiàn)場所發(fā)明的半導(dǎo)體器件稱為場效應(yīng)管(Field Effect Transistor ,簡稱FET)。 為了方便產(chǎn)生一個電場,科學(xué)家

    2024年02月10日
    瀏覽(24)
  • 立創(chuàng)eda學(xué)習(xí)筆記八:水平翻轉(zhuǎn)和垂直翻轉(zhuǎn)

    立創(chuàng)eda學(xué)習(xí)筆記八:水平翻轉(zhuǎn)和垂直翻轉(zhuǎn)

    一個元器件,它的實(shí)物本身是不能翻轉(zhuǎn)的,因?yàn)樗耐庑问枪潭ǖ模憧梢孕D(zhuǎn)它,但是你不能得到它的鏡像,所以在畫pcb的時候器件不能翻轉(zhuǎn),水平翻轉(zhuǎn)和垂直翻轉(zhuǎn)在畫原理圖的時候比較有用,可以方便器件的整體擺放。 翻轉(zhuǎn)的方式: 1、選中器件 2、點(diǎn)格式 3、選擇翻轉(zhuǎn)

    2024年02月12日
    瀏覽(39)
  • 怎么在vscode項目里打開所在資源管理器的目錄

    在VS Code中,你可以通過以下幾種方法來打開項目所在的資源管理器(文件夾): 方法 1:通過側(cè)邊欄 在VS Code的側(cè)邊欄中,點(diǎn)擊\\\"Explorer\\\"圖標(biāo)(通常是一個小文件夾圖標(biāo))。 在\\\"Explorer\\\"面板中,右鍵點(diǎn)擊你想要在資源管理器中打開的文件或文件夾。 從彈出的上下文菜單中選擇

    2024年02月08日
    瀏覽(16)
  • 機(jī)器學(xué)習(xí)筆記 - 感知器的數(shù)學(xué)表達(dá)

    ????????感知機(jī)(或稱感知器,Perceptron)是Frank Rosenblatt在1957年就職于Cornell航空實(shí)驗(yàn)室(Cornell Aeronautical Laboratory)時所發(fā)明的一種人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。 ????????它可以被視為一種最簡單形式的前饋神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),是一種二元線性分類模型,其輸入為實(shí)例的特征向量,輸出為實(shí)

    2024年02月05日
    瀏覽(27)
  • 內(nèi)部參考電壓的使用應(yīng)用筆記

    內(nèi)部參考電壓的使用應(yīng)用筆記

    ? CH32V/F 系列單片機(jī)能夠在一定的電壓范圍內(nèi)進(jìn)行工作,以 CH32V203C8T6 芯片為例,在不使用 USB 外設(shè)時,最低工作電壓能夠達(dá)到 2.4V。較為寬泛的工作電壓,允許單片機(jī)直接使用電池供電,但由于 CH32V203C8T6 芯片沒有獨(dú)立的 Vref 引腳,使用 ADC 的過程中無法換算出真實(shí)的電壓。

    2024年02月08日
    瀏覽(21)
  • 【硬件學(xué)習(xí)筆記003】玩轉(zhuǎn)電壓基準(zhǔn)芯片:TL431及其他常用電壓基準(zhǔn)芯片

    【硬件學(xué)習(xí)筆記003】玩轉(zhuǎn)電壓基準(zhǔn)芯片:TL431及其他常用電壓基準(zhǔn)芯片

    ????????TL431 是三端可調(diào)節(jié)并聯(lián)穩(wěn)壓器??梢酝ㄟ^兩個外部電阻器將輸出電壓設(shè)置為介于 Vref(約為 2.5V)和36V之間的任意值。其輸出阻抗典型值均為 0.2Ω。此類器件的有源輸出電路具有非常明顯的導(dǎo)通 特性,因此非常適合用于替代許多應(yīng)用中的齊納二極管,例如板載穩(wěn)壓

    2024年02月04日
    瀏覽(29)

覺得文章有用就打賞一下文章作者

支付寶掃一掃打賞

博客贊助

微信掃一掃打賞

請作者喝杯咖啡吧~博客贊助

支付寶掃一掃領(lǐng)取紅包,優(yōu)惠每天領(lǐng)

二維碼1

領(lǐng)取紅包

二維碼2

領(lǐng)紅包