一、 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
在 CMOS 工藝下，設(shè)計(jì)一個(gè) CMOS 運(yùn)算放大器，并利用 Virtuoso 工具對(duì)其性能進(jìn)行仿真和分析。
二、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/h2>
深入理解 CMOS 運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)方法和性能分析方法。
三、 實(shí)驗(yàn)要求
設(shè)計(jì)符合下列要求的 CMOS 運(yùn)算放大器，結(jié)構(gòu)不限。
1、技術(shù)指標(biāo)要求：
供電電壓：VDD 3.3v GND 0v
輸入信號(hào)：正弦差分信號(hào)
共模電壓范圍為 1V
差分幅值范圍 1mv
輸出信號(hào)：正弦信號(hào)
擺率大于 10V/us（CL=10pF）
單位增益帶寬：GB 不小于 5MHz（CL=10pF），3dB 帶寬：不小于 5KHz。
幅值增益：70dB
相位裕度：大于 60 度
功耗小于 2mW
工作溫度：0~85 攝氏度
2、根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo)要求，選取、確定適合的電路結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行計(jì)算分析。逐步完成電路級(jí)設(shè)計(jì)、電路級(jí)仿真各個(gè)步驟。
3、電路的仿真與分析要求，要進(jìn)行直流工作點(diǎn)、交流 AC 分析、瞬態(tài) Trans 分析、建立時(shí)間小信號(hào)特性和擺率大信號(hào)分析，能熟練掌握各種分析的參數(shù)設(shè)置方法。
4、電路性能的優(yōu)化與器件參數(shù)調(diào)試，并給出測(cè)試結(jié)果，要求達(dá)到預(yù)定的技術(shù)指標(biāo)。
5、測(cè)試參數(shù)：電壓增益、相位裕量、-3dB 頻率帶寬、擺率
6、整理仿真數(shù)據(jù)與曲線圖表，撰寫并提交實(shí)驗(yàn)報(bào)告
四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
總體電路圖：
仿真參數(shù)：
?
?電流-30uA
?Ac仿真結(jié)果：
?
由曲線知：
電壓增益為71.025dB
相位裕量為91.21°
-3dB帶寬為5.42kHz
輸入方波后瞬態(tài)仿真：
仿真參數(shù)：
結(jié)果：
?
由圖知：
擺率為11.3V/us文章來(lái)源：http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-479693.html
五、實(shí)驗(yàn)感悟
??? 實(shí)驗(yàn)，我再一次溫習(xí)了放大器參數(shù)的設(shè)計(jì)，以及相關(guān)概念的含義。同時(shí)，對(duì)cadence的virtuoso的使用有了一個(gè)更加全面的掌握，對(duì)性能指標(biāo)的測(cè)量有了更深刻的了解。文章來(lái)源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-479693.html
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