邏輯門符號
Inverter
CMOS NAND Gate
CMOS NOR Gate
MOS Capacitor
nmos cutoff
Linear
Saturation
Channel Charge
Carrier velocity
nMOS Linear I-V
nMOS Saturation I-V
Summary
nMOS Operation
pMOS Operation
Inverter Step Response
Delay Definitions
3-input NAND Caps
Elmore Delay
Estimate rising and falling propagation delays of a 2-input NAND driving h identical gates
多米諾電路
邏輯努力
推氣泡法
請簡要說明動態(tài)邏輯電路輸出單調(diào)性特點,對輸入信號的單調(diào)特征有什么樣
的要求,如果兩個電路需要級聯(lián)時應(yīng)該如何設(shè)計兩個電路的連接。(12 分)
答案:
由于動態(tài)電路具有單調(diào)降的輸出電壓,即在預(yù)充電之后上拉網(wǎng)絡(luò)輸出電壓依靠輸
出電容保持高電平輸出,沒有上拉充電回路(4 分);輸出電壓降低后不能再升
高,輸入信號的電壓需要單調(diào)升高的,保證動態(tài)邏輯門電路下拉網(wǎng)絡(luò)放電僅有一
次,因此兩個動態(tài)邏輯電路不能直接級聯(lián)(4 分)。在一個動態(tài)邏輯電路后連接
一個靜態(tài)邏輯門反相(如反相器),改變輸入單調(diào)性,然后再與動態(tài)邏輯電路級
聯(lián)構(gòu)成多米諾電路的形式(4 分)。
該電路具有或非邏輯功能(4 分),
噪聲容限
反相器的速度
反相器功耗
方向器設(shè)計:綜合
例題
集成電路低功耗設(shè)計
集成電路為何需要低功耗?
功耗來源
符合邏輯門動態(tài)功耗
減少漏電流-多閾值邏輯電路
CMOS和PMOS晶體管串聯(lián)和并聯(lián)
與非門NAND
或非門
VLSI 設(shè)計方法
世界集成電路發(fā)展歷程
版圖設(shè)計理念
VLSI設(shè)計主要流程
MOS晶體管結(jié)構(gòu)
PN結(jié)單向?qū)щ姟呻娐返幕A(chǔ)
載流子是源到漏,電流是漏到源
mos 晶體管工作原理
V D S ——源漏電壓 V_{DS} —— 源漏電壓 VDS?——源漏電壓
V G S ——柵源電壓 V_{GS}——柵源電壓 VGS?——柵源電壓
飽和區(qū)工作條件
MOS管的轉(zhuǎn)移特性
- 是指 I D S I_{DS} IDS? 隨著 V G s V_{Gs} VGs? 的變化關(guān)系
MOS晶體管的電學(xué)本質(zhì)
PMOS 晶體管
兩類MOS晶體管
MOS管符號
CMOS結(jié)構(gòu)及其優(yōu)勢
CMOS反相器設(shè)計
PMOS 高電平是源,低電平是漏;
所以兩個漏極相連
靜態(tài)分析
CMOS邏輯門構(gòu)造
與非門設(shè)計方法
nmos 為1,pmos為2。
異或門和同或門
傳輸門
源和漏之間可以傳
源和漏是不分的,只有人分析的時候才分
三態(tài)門
時序邏輯
如何鎖存信號-正反饋
D 觸發(fā)器
觸發(fā)器的時序參數(shù)
時序邏輯的性能優(yōu)化
時序邏輯的功耗優(yōu)化
靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗-電容充放電。
降低時鐘的負(fù)載
跟主從式結(jié)構(gòu)區(qū)別——反饋環(huán)路
偏差和抖動對電路的影響
抖動一定使性能下降
正的偏差可以使性能上升,反之下降 。
工藝與設(shè)計接口
邏輯努力
文章來源:http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-799889.html
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