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模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

這篇具有很好參考價值的文章主要介紹了模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)。希望對大家有所幫助。如果存在錯誤或未考慮完全的地方,請大家不吝賜教,您也可以點擊"舉報違法"按鈕提交疑問。

共源極

(1)采用電阻負(fù)載的共源極

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)電路的大信號和小信號的特性我們都需要研究。{電路的輸入阻抗低頻時非常高}

①從0開始增大,截止,;

②接近時,開始導(dǎo)通,電流流經(jīng)使減小;

③進(jìn)一步增大,也變大但還小于時,NMOS管仍處于飽和區(qū),直到模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)即=時(預(yù)夾斷);

?④模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)后,工作在線性區(qū)(三級管區(qū)),如果足夠高還可以進(jìn)入深線性區(qū)(深三極管區(qū)

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

?小信號工作:

大信號工作:電路的增益隨信號的擺幅變化較大{增益對于信號電平的依賴關(guān)系導(dǎo)致了非線性}

(2)采用二極管連接的負(fù)載的共源極

如果把晶體管的柵極和漏極短接,該MOS器件可以起到小信號電阻的作用。{因為漏極和柵極電勢相同,該晶體管總是工作在飽和區(qū)}

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

考慮體效應(yīng)后

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

?因為模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

可得:模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

可見考慮體效應(yīng)后在源級看到的阻抗更小了。

(3)采用電流源負(fù)載的共源極

應(yīng)用中有時要求單級有很大的電壓增益,但是對于電阻或者二極管連接的負(fù)載而言,增大阻值會限制輸出電壓的擺幅。

一個切實可行的方法是利用電流源代替負(fù)載。

(4)工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源極

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

?這種電路使的柵壓偏置在足夠低的電平,保證在全部輸出電壓擺幅范圍內(nèi)工作在深線性區(qū)。因為

所以電壓增益可以很方便地計算出來;

但是,由于對,和的依賴,因為,和隨工藝和溫度的改變而改變,而且產(chǎn)生一個精確的會增加電路的復(fù)雜性,所以該電路難以應(yīng)用。

(5)帶源級負(fù)反饋的共源極

?模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

?由于輸入電壓的一部分出現(xiàn)在電阻上而不是作為柵源的過驅(qū)動電壓,因此導(dǎo)致的變化十分平滑。

定義電路的等效跨導(dǎo):

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

隨著增大,變?yōu)榈娜鹾瘮?shù),同樣漏電流也變?yōu)榈娜鹾瘮?shù)。這種線性化的獲得是以犧牲增益(以及高的噪聲)為代價的。

我們把增益的大小看成在漏極點所看到的電阻除以源級通路上的總電阻{這樣的方法極大地簡化了復(fù)雜電路的分析}

例:模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

?{不考慮溝道長度調(diào)制以及體效應(yīng)}

?源級負(fù)反饋另一個重要的作用是增大共源級的輸出電阻。

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)

模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3),表明輸出電阻增大了模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)。文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-472239.html

到了這里,關(guān)于模擬CMOS集成電路設(shè)計入門學(xué)習(xí)(3)的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容,請在右上角搜索TOY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關(guān)文章,希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)!

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