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參考文獻(xiàn)：
1, 轉(zhuǎn)載-ROM、RAM存儲(chǔ)器原理詳解以及DRAM、SRAM、SDRAM 、FLASH存儲(chǔ)器的介紹文章來(lái)源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-707488.html
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參考資料 【明德?lián)P_verilog零基礎(chǔ)入門(mén)語(yǔ)法HDL仿真快速掌握-手把手教你寫(xiě)FPGA/ASIC代碼設(shè)計(jì)流程中的應(yīng)用】 2.1.1 什么是模塊例化 例化，即將項(xiàng)目不斷拆分成次級(jí)功能模塊，然后從最簡(jiǎn)單的模塊開(kāi)始實(shí)現(xiàn)，進(jìn)而完成整個(gè)復(fù)雜項(xiàng)目 2.1.2 模塊例化的方法 針對(duì)已經(jīng)抽象好的模塊，需要
0 前言 這段時(shí)間例化了挺多mem，過(guò)程中也了解到了一些新的東西，在這里記錄一下 1 for循環(huán)方式例化方法 先給出 sub_module 要將這個(gè)module分別例化成 u_sub_0 和 u_sub_1 ，并且每個(gè)都例化四次 for循環(huán)的實(shí)現(xiàn)方式如下 來(lái)看看例化后的效果 可以看到，總共4組inst，每組inst中存在兩個(gè)
近來(lái)在學(xué)習(xí)VHDL時(shí)發(fā)現(xiàn)其有TO和DOWNTO兩種聲明位寬的方式，不同方式在賦值操作時(shí)存在差異，容易混淆。想來(lái)Verilog也存在這種問(wèn)題，故在此進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的討論。 眾所周知，在Verilog中聲明數(shù)據(jù)位寬有兩種方式： 第一種為DOWNTO方式，這種方式是我們通常使用的聲明位寬的方法，
1、存儲(chǔ)器分類(lèi)圖 2、用分類(lèi)對(duì)比的方法介紹不同的存儲(chǔ)器特點(diǎn) 2.1? 存儲(chǔ)器按照用途分類(lèi) ： ? ? ? ?可以分為 主存儲(chǔ)器（內(nèi)部存儲(chǔ)）和輔助存儲(chǔ)器（外部存儲(chǔ)） 。主存儲(chǔ)器是指CPU能直接訪問(wèn)的，有內(nèi)存、一級(jí)/二級(jí)緩存等，一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器；輔助存儲(chǔ)器包括軟盤(pán)、硬盤(pán)
VSCODE插件,可實(shí)現(xiàn)功能: 變量對(duì)齊 逗號(hào)對(duì)齊 括號(hào)對(duì)齊 快捷鍵：CTRL + L 例化的代碼自動(dòng)復(fù)制到剪切板 快捷鍵：ctrl+shift+p :輸入 Convert_instance 正常順序轉(zhuǎn)換 可實(shí)現(xiàn)序號(hào)的從小到大的排列 快捷鍵：ctrl+shift+p :輸入 Convert UCF to XDC NORMAL ORDER 或 Convert UCF to XDC SORT ORDER ucf, xdc, do, tcl 語(yǔ)法
現(xiàn)我們成立了夢(mèng)龍工作室，工作室成員皆為985在讀理工科學(xué)生，排名前20%，5%等，獲得過(guò)國(guó)賽一等獎(jiǎng)，大數(shù)據(jù)杯二等獎(jiǎng)，美賽M獎(jiǎng)，以一作發(fā)表ei會(huì)議，SCI二區(qū)等。旨在幫助大學(xué)生參與競(jìng)賽，如mathorcup 大數(shù)據(jù)杯，國(guó)賽，美賽，電工杯等等，入群可提問(wèn)比賽或數(shù)據(jù)處理有關(guān)問(wèn)題，
在模擬IC設(shè)計(jì)和仿真中，有時(shí)會(huì)需要一個(gè)電路模型（如運(yùn)放、D觸發(fā)器），配合主要電路來(lái)進(jìn)行行為或電路仿真，這個(gè)電路模型不是用具體工藝的mos管等搭建，而是用VerilogA代碼生成，或者用Cadence中analogLib搭建，本文用全差分放大器和D觸發(fā)器舉例說(shuō)明搭建過(guò)程，并比較二者的不
(1) 四選一多路器 (2)異步復(fù)位的串聯(lián)T觸發(fā)器 (3)奇偶校驗(yàn) (4)移位運(yùn)算與乘法 (5)位拆分與運(yùn)算 (6)使用子模塊實(shí)現(xiàn)三輸入數(shù)的大小比較 (7)4位數(shù)值比較器電路 (8)4bit超前進(jìn)位加法器電路 (9)優(yōu)先編碼器電路① (10)用優(yōu)先編碼器①實(shí)現(xiàn)鍵盤(pán)編碼電路 (11)8線-3線優(yōu)先編碼器 (12)使用8線-3線
FPGA設(shè)計(jì)中RAM和ROM作為存儲(chǔ)器用來(lái)存儲(chǔ)可變或不可變類(lèi)型的數(shù)據(jù)。 ROM初始化一般是加載固定數(shù)據(jù)，RAM聲明時(shí)默認(rèn)為不定態(tài)數(shù)據(jù)，初始化時(shí)可以讓數(shù)據(jù)為全1或者全0。 復(fù)位時(shí)按地址寫(xiě)入初值 使用initial 和 for循環(huán)來(lái)初始化 用于初始化為有規(guī)律的數(shù)據(jù)， RAM初始化常使用這種方式。
本文主要介紹ROM和RAM實(shí)現(xiàn)的verilog代碼版本，可以借鑒參考下。 Read-only memory（ROM）使用ROM_STYLE屬性選擇使用寄存器或塊RAM資源來(lái)實(shí)現(xiàn)ROM，示例代碼如下： RAM設(shè)計(jì)方式有很多，可以用BRAM、LUT、分布式RAM、URAM實(shí)現(xiàn)，可以使用RAM_STYLE屬性強(qiáng)制規(guī)定使用的資料類(lèi)型。 (*rom_style = \\\"bl
