1、存儲(chǔ)器分類圖

2、用分類對比的方法介紹不同的存儲(chǔ)器特點(diǎn)

2.1?存儲(chǔ)器按照用途分類：

? ? ? ?可以分為主存儲(chǔ)器（內(nèi)部存儲(chǔ)）和輔助存儲(chǔ)器（外部存儲(chǔ)）。主存儲(chǔ)器是指CPU能直接訪問的，有內(nèi)存、一級/二級緩存等，一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器；輔助存儲(chǔ)器包括軟盤、硬盤、磁帶、光盤、磁盤陣列等，CPU不能像訪問內(nèi)存那樣，直接訪問外存，外存要與CPU或I/O設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，必須通過內(nèi)存進(jìn)行。

2.2?存儲(chǔ)器按照存儲(chǔ)介質(zhì)分類：

? ? ? ?將存儲(chǔ)器分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)、光學(xué)存儲(chǔ)和磁性存儲(chǔ)三大類。上面這張存儲(chǔ)器分類圖中，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器大類中，按照存儲(chǔ)器的實(shí)現(xiàn)技術(shù)原理來進(jìn)行詳細(xì)分類。

2.3?RAM和ROM ：

? ? ? ?ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。本來的含義是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是說這種存儲(chǔ)器只能讀，不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫。這個(gè)詞的由來是因?yàn)樵缙诘挠?jì)算機(jī)曾經(jīng)使用磁鼓作為內(nèi)存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設(shè)備，RAM則可以隨機(jī)讀寫。

&? ? ?隨機(jī)存?。ㄓ袝r(shí)亦稱直接訪問）代表同一時(shí)間訪問一組序列中的一個(gè)隨意組件。反之則稱循序訪問，即是需要更多時(shí)間去訪問一個(gè)遠(yuǎn)程組件。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)可分為三個(gè)部分：存儲(chǔ)矩陣，地址譯碼器，讀寫電路。直接存取，訪問時(shí)讀寫不見先直接指向一個(gè)小區(qū)域，再在該區(qū)域內(nèi) 順序查找，訪問時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān)（ 磁盤）

2.4 SRAM和DRAM:

? ? ? ?RAM可分為靜態(tài)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory,SRAM）和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory）。SRAM中的存儲(chǔ)單元相當(dāng)于一個(gè)鎖存器，只有0，1兩個(gè)穩(wěn)態(tài)；DRAM則是利用電容存儲(chǔ)電荷來保存0和1兩種狀態(tài)，因此需要定時(shí)對其進(jìn)行刷新，否則隨著時(shí)間的推移，電容其中存儲(chǔ)的電荷將逐漸消失。

2.5 EEPROM和FLASH：

? ? ? ? ?ROM（只讀存儲(chǔ)器）按其內(nèi)容寫入方式，一般分為3種：固定內(nèi)容ROM；可一次編程PROM；可擦除ROM，又分為EPROM（紫外線擦除電寫入）和EEPROM（電擦除電寫入）等類型。EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的ROM來講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。它具有ROM的非易失性，又具備類似RAM的功能，可以隨時(shí)改寫（可重復(fù)擦寫1萬次以上）。目前大多數(shù)EPROM芯片內(nèi)部都備有升壓電路。因此，只需提供單電源供電，便可進(jìn)行讀、擦除/寫操作，這為數(shù)字系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和在線調(diào)試提供了極大方便。

? ? ? ?FLASH屬于廣義的EEPROM全稱是FLASH EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它FLASH。FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，EEPROM在運(yùn)行中可以被修改，而FLASH在運(yùn)行時(shí)不能修改，EEPROM可以存儲(chǔ)一些修改的參數(shù)，F(xiàn)lash中存儲(chǔ)程序代碼和不需修改的數(shù)據(jù)。

?2.6??NOR FLASH和NAND FLASH:

? ? ? ? ? FLASH分為NOR FLASH和NAND FLASH 。NOR FLASH數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)RAM一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié),但是擦除仍要按塊來擦。NAND FLASH同樣是按塊擦除，但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁來讀取。由于NAND FLASH 引腳上復(fù)用，因此讀取速度比NOR FLASH慢一點(diǎn)，但是擦除和寫入速度比NOR FLASH快很多。NAND FLASH內(nèi)部電路更簡單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND型的,例如SSD、U盤、SD卡、EMMC存放數(shù)據(jù)。因此小容量的2～12M的FLASH多是NOR型的，NOR FLASH比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，手機(jī)就是使用NOR FLASH。

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