博主自制開發(fā)板，用的 STM32F103RCT6，設(shè)計(jì)時(shí) 8M 晶振并聯(lián)了個(gè) 1M 電阻，實(shí)測發(fā)現(xiàn)：
1、軟件延時(shí) 1s ，實(shí)際延時(shí) 9s，拆掉 1M 電阻問題消失。
2、部分代碼下載進(jìn)去后單片機(jī)不工作。（實(shí)測晶振不起振 or 波形很差）
網(wǎng)上說加這個(gè) 1M 電阻是為了晶振更好的起振，但如果芯片內(nèi)部本來就有并聯(lián)電阻，則這個(gè) 1M 電阻加不加都行。
根因：博主買錯(cuò)元器件了，買成 1mΩ，不是 1MΩ，毫歐姆和兆歐姆差別還是很大的。
note：看著這個(gè)電阻很奇怪，寫的 R001 ，用萬用表量，切到最低擋位，顯示小數(shù)；正常 1MΩ 貼片電阻顯示的應(yīng)該是 105。
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博主去查了 STM32 手冊
high-speed external (HSE)
也就是說，STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE 這幾個(gè)系列的外部 8 M 晶振，其實(shí)是可以不需要在外面并聯(lián)電阻的，IC 內(nèi)部有 Rf。
low-speed external (LSE)
順便看一下 32.768K 晶振的規(guī)格，32.768K 晶振是給 RTC 用的，如果不需要可以不加；8M 則是 STM32 的主 clock，一般都要加：文章來源：http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-444479.html
IC 內(nèi)部也是有 Rf 的，因此實(shí)際上并不需要外部并聯(lián)電阻。文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-444479.html
到了這里，關(guān)于STM32F103 晶振問題詳解的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容，請?jiān)谟疑辖撬阉鱐OY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關(guān)文章，希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)！
