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信號(hào)完整性(SI)電源完整性(PI)學(xué)習(xí)筆記(一)信號(hào)完整性分析概論

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信號(hào)完整性分析概論
1.信號(hào)完整性(SI):指在高速產(chǎn)品中由互聯(lián)線引起的所有問題;研究當(dāng)互聯(lián)線與數(shù)字信號(hào)的電壓電流波形相互作用時(shí),其電氣特性如何影響產(chǎn)品的性能,SI又叫信號(hào)波形失真。
2.電源完整性(PI):指為有源器件供電的互聯(lián)線及各相關(guān)元件上的噪聲;PDN(電源分配網(wǎng)絡(luò))
3.電磁兼容(EMC):主要是指產(chǎn)品自身產(chǎn)生的電磁輻射和由外場(chǎng)導(dǎo)入產(chǎn)品的電磁干擾;一般討論方案時(shí)說電磁兼容,討論輻射問題時(shí)說電磁干擾(EMI)。

4.串?dāng)_:在傳播信號(hào)時(shí),有些電壓和電流能夠傳遞到鄰近的靜態(tài)網(wǎng)絡(luò)上,而這個(gè)網(wǎng)絡(luò)正在處理自己的事務(wù)。
5.軌道塌陷:當(dāng)通過電源路徑和地路徑的電流發(fā)生變化,如芯片輸出翻轉(zhuǎn)或內(nèi)核中的門翻轉(zhuǎn)時(shí),在電源路徑和地路徑之間的阻抗上產(chǎn)生一個(gè)壓降。
6.電磁干擾(EMI):電磁干擾包括三個(gè)方面:噪聲源、輻射傳播路徑和天線。
7.SI、PI、EMI六種關(guān)鍵類型
(1)單一網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)失真;
(2)互聯(lián)線中頻率相關(guān)損耗引起的上升邊退化;
(3)兩個(gè)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)之間的串?dāng)_;
(4)作為串?dāng)_特殊形式的地彈和電源彈;
(5)電源和地分配中的軌道塌陷;
(6)來自整個(gè)系統(tǒng)的電磁干擾和輻射。
8.信號(hào)完整性的兩個(gè)推論:一是隨著上升邊的減小,這六種問題會(huì)變得更嚴(yán)重;二是解決信號(hào)完整性的有效辦法在很大程度上是基于對(duì)互聯(lián)線阻抗的理解。
9.仿真:三種電氣仿真工具
(1)電磁仿真器或3D全波場(chǎng)求解器
(2)電路仿真器
(3)數(shù)值仿真工具

10.模型與建模
(1)SPICE,通過求解電路元件表示的微分方程,然后計(jì)算時(shí)域或頻域中的電壓和電流,這一過程在時(shí)域中稱為瞬態(tài)仿真,在頻域中稱為交流仿真。
(2)IBIS:輸入/輸出緩沖接口特性,輸出的是V-I或V-T
(3)三種測(cè)量技術(shù):①阻抗分析儀②矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀VNA矢量網(wǎng)絡(luò)輸出阻抗一般為50Ω
③時(shí)域反射計(jì) TDR
11.通過計(jì)算創(chuàng)建電路模型:
(1)經(jīng)驗(yàn)法則
(2)解析近似
(3)數(shù)值仿真
12.上升邊與時(shí)鐘頻率的關(guān)系近似為
RT =0.1Tclock
其中: RT:表示上升邊,單位為ns. Tclock :表示時(shí)鐘周期,單位 ns


13.高頻或高速領(lǐng)域:時(shí)鐘頻率超過100MHz或上升邊小于1ns。

14.電源和信號(hào)完整性,checklist,6個(gè)關(guān)鍵類型
端接匹配 電感 噪聲 寄生參數(shù) IR壓降 輻射 串?dāng)_ 衰減 地彈 軌道塌陷 反射 下沖過沖 上升邊退化 阻抗突變 振鈴 線延遲 RC時(shí)延 返回電流路徑。等等文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-442599.html

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