目錄

實(shí)驗(yàn)1? 存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/p>

二、實(shí)驗(yàn)原理

三、實(shí)驗(yàn)電路

四、實(shí)驗(yàn)步驟

五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

六、思考題

實(shí)驗(yàn)1? 存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/h3>

1.熟悉DVCC計(jì)算機(jī)組成原理實(shí)驗(yàn)機(jī)的結(jié)構(gòu)，掌握其主要操作。

2.掌握靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM工作特性。

3.掌握靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM的數(shù)據(jù)讀寫方法。

4.能夠運(yùn)用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器進(jìn)行單步讀、寫和連續(xù)讀、寫數(shù)據(jù)。

二、實(shí)驗(yàn)原理

1.主存儲(chǔ)器單元電路主要用于存放實(shí)驗(yàn)機(jī)的機(jī)器指令，它的數(shù)據(jù)總線掛在外部數(shù)據(jù)總線EXD0～EXD7上；它的地址總線由地址寄存器單元電路中的地址寄存器74LS273(U37)給出，地址值由8個(gè)LED燈LAD0～LAD7顯示，高電平亮，低電平滅；在手動(dòng)方式下，輸入數(shù)據(jù)由8位數(shù)據(jù)開關(guān)KD0～KD7提供，并經(jīng)一三態(tài)門74LS245(U51)連至外部數(shù)據(jù)總線EXD0～EXD7，實(shí)驗(yàn)時(shí)將外部數(shù)據(jù)總線EXD0～EXD7用8芯排線連到內(nèi)部數(shù)據(jù)總線BUSD0～BUSD7，分時(shí)給出地址和數(shù)據(jù)。它的讀信號直接接地；它的寫信號和片選信號由寫入方式確定。該存儲(chǔ)器中機(jī)器指令的讀寫分手動(dòng)和自動(dòng)兩種方式。手動(dòng)方式下 ，寫信號由W/R` 提供，片選信號由CE`提供；自動(dòng)方式下，寫信號由控制CPU的P1.2提供，片選信號由控制CPU的P1.1提供。

2.由于地址寄存器為8位，故接入6264的地址為A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其實(shí)際使用容量為256字節(jié)。6264有四個(gè)控制線：CS1? 第一片選線、CS2第二片選線、OE讀線、WE寫線。其功能如表3-1所示。CS1片選線由CE`控制(對應(yīng)開關(guān)CE)、OE讀線直接接地、WE寫線由W/R`控制(對應(yīng)開關(guān)WE)、CS2直接接+5V。

1.6264靜態(tài)存儲(chǔ)器：

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(1)芯片功能：

6264芯片是一個(gè)高性能CMOS靜態(tài)RAM，由8192個(gè)存儲(chǔ)單元組成。

(2)芯片引腳：

13個(gè)地址線:：A12~A0

8個(gè)數(shù)據(jù)線：D7~D0

(CE)`：片選信號，低電平有效

CS：片選信號，高電平有效

(OE)`：讀允許信號，低電平有效

(WE)`：寫允許信號，低電平有效

存儲(chǔ)容量：8K*8b=8KB

(3)功能表：

2.74LS273芯片：

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(1)芯片功能：

74LS273芯片是一個(gè)高8位寄存器，由八個(gè)D型觸發(fā)器組成，具有時(shí)鐘脈沖和異步復(fù)位的功能。

(2)芯片引腳：

CLK: 時(shí)鐘脈沖輸入，上升沿有效

D0~D7:數(shù)據(jù)輸入端

Q0~Q7:觸發(fā)器輸出端

MR:復(fù)位端，低電平有效

(3)功能表：

3.74LS245:

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(1)芯片功能：

8路同相三態(tài)雙向總線收發(fā)器，可雙向傳輸數(shù)據(jù). 根據(jù)方向控制（DIR）輸入的邏輯電平，允許從A總線到B總線或從B總線到A總線的數(shù)據(jù)傳輸。

(2)芯片引腳：

(CE)`:片選信號，低電平有效

DIR:方向控制端

AB/(BA)`:信號傳輸方向

(3)功能表：

圖中信號線LDAR由開關(guān)LDAR提供，手動(dòng)方式實(shí)驗(yàn)時(shí)，跳線器LDAR撥在左邊，脈沖信號T3由實(shí)驗(yàn)機(jī)上時(shí)序電路模塊TS3提供，實(shí)驗(yàn)時(shí)只需將J22跳線器連上即可，T3的脈沖寬度可調(diào)。

三、實(shí)驗(yàn)電路

1、實(shí)驗(yàn)接線圖

⑴ MBUS連BUS2； ????????⑵ EXJ1連BUS3；

⑶ 跳線器J22的T3連TS3； ?⑷ 跳線器J16的SP連H23；

⑸ 跳線器SWB、CE、WE、LDAR撥在左邊(手動(dòng)位置)。

?存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)接線圖

2、實(shí)驗(yàn)原理圖

四、實(shí)驗(yàn)步驟

1.連接實(shí)驗(yàn)線路，仔細(xì)查線無誤后接通電源。

2.形成時(shí)鐘脈沖信號T3，方法如下：在時(shí)序電路模塊中有兩個(gè)二進(jìn)制開關(guān)“運(yùn)行控制”和“運(yùn)行方式”。將“運(yùn)行控制”開關(guān)置為“運(yùn)行”狀態(tài)、“運(yùn)行方式”開關(guān)置為“連續(xù)”狀態(tài)時(shí)，按動(dòng)“運(yùn)行啟動(dòng)”開關(guān)，則T3有連續(xù)的方波信號輸出，此時(shí)調(diào)節(jié)電位器W1，用示波器觀察，使T3輸出實(shí)驗(yàn)要求的脈沖信號；本實(shí)驗(yàn)中“運(yùn)行方式”開關(guān)置為“單步”狀態(tài)，每按動(dòng)一次“啟動(dòng)運(yùn)行”開關(guān)，則T3輸出一個(gè)正單脈沖，其脈沖寬度與連續(xù)方式相同。

3.給存儲(chǔ)器的00地址單元中寫入數(shù)據(jù)05，具體操作步驟如下：

4.讀出剛才寫入00地址單元的內(nèi)容，觀察內(nèi)容是否與寫入的一致。具體操作步驟如下：

五、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

1、記錄向存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)的操作過程。

按照前面介紹的實(shí)驗(yàn)步驟向存儲(chǔ)器地址為00H， 01H，02H的存儲(chǔ)單元分別寫入組內(nèi)同學(xué)學(xué)號的后兩位，則在00H存儲(chǔ)單元寫入05H，在01H存儲(chǔ)單元寫入49H，在02H存儲(chǔ)單元寫入01H。

2、讀出存儲(chǔ)器單元內(nèi)容,使用手機(jī)拍照記錄讀出的數(shù)據(jù)，并記錄在下表中。

六、思考題

1、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器采用是什么原理存放信息，存放在存儲(chǔ)器中的信息需要刷新嗎，為什么？

? ? ??靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器是用觸發(fā)器工作原理存儲(chǔ)信息的，信息讀出后，它仍然保持原狀態(tài)，不需要再生，但電源掉電時(shí)，原存信息丟失，所以它屬于易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，存放在存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息不需要刷新。

2、分析本實(shí)驗(yàn)中，SRAM 6264 最大存儲(chǔ)容量是多少？實(shí)際存儲(chǔ)容量是多少？為什么？

? ? 最大存儲(chǔ)容量：*8位=8K*8b=8KB ??實(shí)際存儲(chǔ)器容量：*8位=256*8b，因?yàn)槠渌?個(gè)地址線接地了。

3、計(jì)算機(jī)中什么器件采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 ？什么器件采用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器？

? ? ?靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：計(jì)算機(jī)內(nèi)部的CPU高速緩存(Cache)、硬盤緩存區(qū)、LCD顯示器、打印機(jī)等；

? ? ?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器：計(jì)算機(jī)的主存等。文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-417332.html

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