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芯片OS測(cè)試

2年前作者：喵嗚叫的魚分類：Toy博客閱讀(22)違法舉報(bào)

這篇具有很好參考價(jià)值的文章主要介紹了芯片OS測(cè)試。希望對(duì)大家有所幫助。如果存在錯(cuò)誤或未考慮完全的地方，請(qǐng)大家不吝賜教，您也可以點(diǎn)擊"舉報(bào)違法"按鈕提交疑問。

OS（open short）通常是芯片最先開始的測(cè)試項(xiàng)，可有效降低測(cè)試成本。

原理是測(cè)試芯片內(nèi)部PIN的保護(hù)二極管。

開爾文連接是一種四線連接，由High Force、High Sense、Low Sense、Low Force組成。

Force線是過大電流的線路，線路上電阻產(chǎn)生的壓降不能忽略。

Sense線用于檢測(cè)電壓，基本不過電流，走線很細(xì)，不會(huì)分壓可以有效避免壓降。

被測(cè)電源距離板卡走線很長的情況，F(xiàn)orce線由于阻抗會(huì)有一定壓降導(dǎo)致供電結(jié)果不準(zhǔn)確，sensor反饋實(shí)際電壓給板卡內(nèi)部，進(jìn)行Force輸出電壓調(diào)整。

芯片OS測(cè)試

PPMU

機(jī)臺(tái)側(cè)可用于提供電壓電流以及檢測(cè)電壓電流

分辨率1uV級(jí) 精度1mV級(jí)

若VCH設(shè)+2V? VCL設(shè)-2V，若DUT處發(fā)生短路，比如 DUT PIN輸出7V，由于二極管的鉗位作用，硅管導(dǎo)通壓降0.7V，則此處電壓2.7V，保護(hù)了機(jī)臺(tái)板卡處電路不被燒毀。

芯片OS測(cè)試

?芯片內(nèi)部保護(hù)二極管模型

芯片OS測(cè)試

保護(hù)二極管的作用是防止ESD打壞內(nèi)部連接。

檢測(cè)上二極管是否導(dǎo)通，PPMU從IO PIN 灌入一個(gè)小電流（source電流），檢測(cè)壓降是否0.7V。

檢測(cè)下二極管是否導(dǎo)通，PPMU從IO PIN 拉出一個(gè)小電流（sink電流100~500uA）,檢測(cè)壓降是否0.7V。

通常檢測(cè)時(shí)，VDD與GND與其他相鄰PIN，都給0V，這樣分別source與sink電流時(shí)測(cè)到PIN處電壓為0.7V和-0.7V表示二極管導(dǎo)通。

開路/短路測(cè)試（也稱為導(dǎo)通性或接觸測(cè)試）驗(yàn)證在設(shè)備測(cè)試期間，是否與DUT上的所有信號(hào)引腳進(jìn)行了電氣接觸，并且是否沒有信號(hào)引腳與其他信號(hào)引腳或電源/接地短路。
    開路/短路測(cè)試可快速確定設(shè)備是否存在引腳短路、鍵合線缺失、引腳因靜電損壞、制造缺陷等。
    開路/短路測(cè)試還可以指出與測(cè)試系統(tǒng)相關(guān)的問題，如晶圓測(cè)試探針卡或設(shè)備測(cè)試插座接觸不正確。

    要測(cè)試連接到VDD的上部二極管，請(qǐng)使用PMU施加約為的正電流+100μA。如果測(cè)量結(jié)果大于1.5V以檢測(cè)到開路，則將PMU的測(cè)試上限設(shè)置為失敗。如果測(cè)量結(jié)果小于0.2V，則將PMU下限設(shè)置為失敗，以檢測(cè)短路。此測(cè)試方法用于測(cè)試信號(hào)引腳（輸入和輸出），但不測(cè)試電源引腳，如VDD或VSS。
    要測(cè)試連接到VSS的下部二極管，請(qǐng)使用PMU施加約為的負(fù)電流-100μA。如果測(cè)量結(jié)果小于-1.5V，則將PMU的測(cè)試下限設(shè)置為失敗，以檢測(cè)開路。如果測(cè)量結(jié)果大于-0.2V，則將PMU上限設(shè)置為失敗，以檢測(cè)短路。此測(cè)試方法用于測(cè)試信號(hào)引腳（輸入和輸出），但不測(cè)試電源引腳，如VDD或VSS。
    電源和接地引腳也可以在開路條件下進(jìn)行測(cè)試，但其結(jié)構(gòu)與信號(hào)引腳不同。測(cè)試電源引腳，觀察良好設(shè)備上的測(cè)量值，并相應(yīng)設(shè)置測(cè)試限值。
    注意：在OS測(cè)試的時(shí)候需要設(shè)置電壓鉗制，防止因?yàn)殡妷哼^大導(dǎo)致設(shè)備或器件的損傷。

芯片OS測(cè)試

?文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-416177.html

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