? ? ? ? 以下內(nèi)容不分先后關(guān)系,筆者想到哪寫到哪,供參考,歡迎大家互相討論交流。
1、TO
? ? ? ? Tape?Out,流片,指提交最終GDSII文件給到Foundry進(jìn)行fab加工。
2、MPW
????????Multi Project Wafer,多項(xiàng)目晶圓,將多個(gè)使用相同工藝的集成芯片放在同一晶圓片上進(jìn)行流片,制造完成后,每個(gè)設(shè)計(jì)可以得到數(shù)十片芯片樣品,多用于出前期工程片。
3、Full?Mask
????????全掩膜,即制造流程中全部掩膜都為某集成芯片設(shè)計(jì)服務(wù),小批試產(chǎn)及量產(chǎn)階段。
4、Shuttle
? ? ? ? MPW時(shí)間,每月或每季度固定時(shí)間,即“班車”。
5、SEAT
? ? ? ? 一次MPW的最小面積,可一次選擇多個(gè)Seat。
6、Wafer
????????晶圓,多為8寸、12寸。
7、notch
????????缺口,用于判別晶圓方向。
8、Yield
? ? ? ? 良率,CP良率、FT良率、綜合良率。
9、CP
????????Circuit Probing、Chip Probing,晶圓測(cè)試,一般遍歷測(cè)試整片Wafer的每個(gè)die,確保die滿足DC、AC、功能設(shè)計(jì)要求。一般有多道CP,如MCU類芯片:CP1、CP2測(cè)試Flash,CP3測(cè)試定制化功能,CP4高溫測(cè)試等。CP測(cè)試項(xiàng)理論上較FT測(cè)試項(xiàng)多,提前篩除Fail?die以節(jié)省成本,且一般情況下CP測(cè)試扎針pad少,同測(cè)Site數(shù)多,機(jī)時(shí)成本較FT低。
10、FT
? ? ? ? Final?Test,終測(cè)、成測(cè),對(duì)package后的芯片進(jìn)行定制化測(cè)試,芯片出廠前最后一道關(guān)卡。
11、Foundry
? ? ? ? 晶圓廠,如臺(tái)積電(TSMC)。
12、Die
? ? ? ? wafer切割后的最小單元,即封裝前的芯片。
13、Chip
? ? ? ? 芯片,即我們見到的封裝好后的芯片。
14、IP
? ? ? ? Intellectual Property Core,非網(wǎng)絡(luò)中所說的IP地址、IP協(xié)議,而是芯片設(shè)計(jì)行業(yè)中的IP核,即知識(shí)產(chǎn)權(quán)核,是可重用設(shè)計(jì)方法學(xué)中的可重用模塊,如UART、SPI、IIC等。
15、SOC
? ? ? ? System?On?Chip,片上系統(tǒng),包含CPU、總線、外設(shè)等都在一顆芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)。
16、MCU
????????Microcontroller Unit,微控制器單元,概念和SOC類似,但MCU是芯片類型,SOC是設(shè)計(jì)方式。將CPU、memory、Timer、ADC、DMA等整合在一顆芯片上,形成的微型芯片級(jí)計(jì)算機(jī)。
17、RTL
????????register-transferlevel,描述同步數(shù)字電路的硬件描述語言。
18、Netlist
? ? ? ? 網(wǎng)表,RTL經(jīng)過綜合生成。
19、SDC
????????設(shè)計(jì)提供約束文件,綜合工具需要SDC才能將RTL轉(zhuǎn)換成netlist,主要包括:芯片工作頻率,芯片IO時(shí)序,設(shè)計(jì)規(guī)則,特殊路徑等。
20、GDS
????????netlist經(jīng)過后端工具編程版圖,而版圖提交給foundry的就是GDS II
21、Merge
? ? ? ? 拼接,將模塊、程序等合并。
22、Margin
? ? ? ? 邊界,如Margin?Test以確定芯片設(shè)計(jì)上下限值是否滿足需求。
23、OD
? ? ? ? 針壓,指CP測(cè)試階段,Prober扎在wafer?pad上的機(jī)械壓力值,一般根據(jù)工藝、晶圓、測(cè)試者經(jīng)驗(yàn)、彈坑實(shí)驗(yàn)確定。
24、彈坑
? ? ? ? 彈坑實(shí)驗(yàn),CP廠使用不同的針壓力對(duì)未扎過針的die進(jìn)行扎針驗(yàn)證,在封裝廠進(jìn)行鋁層腐蝕后,觀測(cè)哪組針壓下出現(xiàn)彈坑;將結(jié)果反饋CP廠,由其參考實(shí)驗(yàn)結(jié)果調(diào)整在CP測(cè)試時(shí)施加針壓大小。彈坑實(shí)驗(yàn)die作報(bào)廢處理,在wafer制程及pad鋁層厚度不變情況下,只需進(jìn)行1次彈坑實(shí)驗(yàn)。
25、TD
? ? ? ? Touch?down,下針,CP測(cè)試中單次扎針。
26、fab
? ? ? ? 將設(shè)計(jì)文件交付工廠生產(chǎn)的過程,也代指fab廠。
27、layout
? ? ? ? 設(shè)計(jì)。
28、tolerance
? ? ? ? 容忍度,一般在LB布局布線時(shí)提到,如測(cè)試項(xiàng)要求有哪些Pin腳的走線線長(zhǎng)要一致,阻抗限制等。
29、LB
? ? ? ? Load?Board,ATE上放置的根據(jù)不同芯片定制的母版,用以承載芯片進(jìn)行批量測(cè)試。
30、probe
? ? ? ? 探針,一般指CP階段給pad扎針的針,在針卡上,針卡需針對(duì)wafer定制。
31、prober
????????放置并傳輸wafer的機(jī)器,CP測(cè)試時(shí)的設(shè)備。
32、Site
????????測(cè)試座位,一般指同測(cè)數(shù),需根據(jù)芯片測(cè)試所需資源評(píng)估同測(cè)數(shù)量。
33、Socket
????????測(cè)試座、治具,芯片放置其中,需定制。
34、Kit
????????FT量產(chǎn)測(cè)試時(shí)使用,連接Handler和LB,吸取芯片并壓緊進(jìn)行測(cè)試后分bin,需定制。
35、Handler
????????機(jī)械手,安裝Kit后設(shè)置操作流程自動(dòng)進(jìn)行FT測(cè)試。
36、ATE
????????Automatic?Test?Equipment,自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備,專用于芯片量產(chǎn)測(cè)試,量產(chǎn)測(cè)試工程師吃飯的家伙。
37、板卡
????????ATE內(nèi)部搭載的資源,不同板卡不同功能、資源,搭配不同板卡可實(shí)現(xiàn)各種測(cè)試要求。
38、probe?card
????????針卡,一般根據(jù)芯片pad位置定制針卡,分為工程卡和量產(chǎn)卡,對(duì)應(yīng)調(diào)試階段和量產(chǎn)階段,插在共板上連接測(cè)試機(jī)。
39、GU
? ? ? ? Golden?Unit,金手指,也叫Golden?Sample,指經(jīng)過測(cè)試驗(yàn)證的good?chip,可用于環(huán)境調(diào)試時(shí)驗(yàn)證環(huán)境是否正常。
40、pitch
? ? ? ? 中心距(間距),die?pitch、pad?pitch。
41、cable
? ? ? ? cable連接線,一般一端連接測(cè)試機(jī)母板,一端連接芯片測(cè)試板。
42、IQC
????????Incoming Quality Control,來料檢驗(yàn)。
43、bake
? ? ? ? 烘烤,CP測(cè)試中可選步驟。
44、pad
? ? ? ? die的pin,pad數(shù)量多于pin數(shù)。
45、pin
? ? ? ? chip的pin。
46、map
? ? ? ? 一般用在wafer測(cè)試中,顯示測(cè)試結(jié)果pass/fail、分bin等。
47、UV
? ? ? ? 紫外線照射,封裝時(shí)進(jìn)行,memory芯片除外。
48、自主回收
? ? ? ? CP、FT測(cè)試中對(duì)第一次測(cè)試fail?die的處理,將對(duì)其自動(dòng)進(jìn)行重新復(fù)測(cè),稱為自主回收。
49、package
? ? ? ? 封裝,wafer做完CP測(cè)試后,會(huì)在封裝廠經(jīng)過磨劃、拋光、切割等工序,形成die,同時(shí)將CP測(cè)試中暴露出的fail?die挑粒,最后對(duì)good?die進(jìn)行封裝,進(jìn)行FT測(cè)試。
50、Bin
? ? ? ? 分類,測(cè)試時(shí)pass/fail芯片放置或編號(hào)作區(qū)分,分為HW?Bin和SW?Bin,Bin號(hào)由工程師定義,一般與DC、AC等測(cè)試參數(shù)相關(guān)。
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