概括

MCR內(nèi)存（Multiplexer Combined Ranks）是一種新型內(nèi)存技術，由英特爾、瑞薩電子和SK海力士聯(lián)合開發(fā)。它在DDR5內(nèi)存的基礎上，將內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣仍俅翁岣咭槐叮壳耙堰_8000MT/s（未超頻）。

MCR內(nèi)存的核心技術是將多個DRAM內(nèi)存模塊組合在一起，并使用專門的控制器來管理它們之間的數(shù)據(jù)傳輸。這樣做的好處是可以將多個DRAM內(nèi)存模塊的帶寬合并起來，從而顯著提高內(nèi)存的整體性能。

具體來說，傳統(tǒng)的DDR5內(nèi)存模塊中，每個內(nèi)存模塊都包含一個Rank，每個Rank可以同時傳輸64個字節(jié)的數(shù)據(jù)。而MCR內(nèi)存模塊中，每個內(nèi)存模塊可以包含多個Rank，每個Rank都可以同時傳輸64個字節(jié)的數(shù)據(jù)。因此，MCR內(nèi)存模塊的整體帶寬是傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存模塊的兩倍。

MCR內(nèi)存目前還處于開發(fā)階段，尚未正式上市。但是，它具有巨大的潛力，可以為未來的計算機系統(tǒng)帶來更高的性能。

以下是MCR內(nèi)存的一些優(yōu)勢：

• 更高的內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣龋篗CR內(nèi)存的傳輸速度是傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存的兩倍，可以滿足高性能計算和數(shù)據(jù)中心等場景的需求。
• 更高的能效比：MCR內(nèi)存可以通過減少數(shù)據(jù)傳輸次數(shù)來提高能效比。
• 更高的擴展性：MCR內(nèi)存可以通過增加內(nèi)存模塊的數(shù)量來提高內(nèi)存容量。

當然，MCR內(nèi)存也有一些缺點，例如：

• 更高的成本：MCR內(nèi)存需要使用更復雜的控制器和電路，因此成本會高于傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存。
• 更高的功耗：MCR內(nèi)存需要處理更多的數(shù)據(jù)，因此功耗會高于傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存。

原理

MCR內(nèi)存是基于LRDIMM內(nèi)存條的一種新型內(nèi)存技術，其主要特點是通過將兩個Rank形成偽多內(nèi)存通道（Pseudo Channel），從而將傳輸率提升一倍。

傳統(tǒng)的LRDIMM內(nèi)存條中，每個Rank都有一個Controller（CS），CS負責控制Rank與CPU之間的通信。在MCR內(nèi)存中，兩個Rank共享一個Controller，Controller將兩個Rank的數(shù)據(jù)進行整合和緩存，然后以128字節(jié)的Burst Length一次性傳輸?shù)紺PU。

具體來說，MCR內(nèi)存的傳輸過程如下：

• CPU發(fā)出一條讀或?qū)懼噶睢?/li>
• Controller將指令發(fā)送到兩個Rank。
• 兩個Rank同時開始讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。
• Controller將兩個Rank的數(shù)據(jù)進行整合和緩存。
• Controller將整合后的緩存數(shù)據(jù)以128字節(jié)的Burst Length一次性傳輸?shù)紺PU。

MCR內(nèi)存的優(yōu)點是可以將內(nèi)存?zhèn)鬏斅侍嵘槐?，從而提高系統(tǒng)的性能。但是，MCR內(nèi)存也存在一些缺點，例如需要更復雜的Controller，并且對內(nèi)存條的設計提出了更高的要求。

LRDIMM

LRDIMM是Load-Reduced DIMM的縮寫，中文意思是“低負載雙列直插式內(nèi)存”。它是一種用于服務器的內(nèi)存模塊，采用了新的技術和較低的工作電壓，以降低服務器內(nèi)存總線負載和功耗的目的。

LRDIMM與傳統(tǒng)的RDIMM相比，具有以下優(yōu)勢：

• 降低了內(nèi)存總線的負載，可以提高內(nèi)存總線的頻率，從而提高內(nèi)存的性能。
• 降低了功耗，可以延長服務器的使用壽命。
• 支持更大的容量，可以滿足高性能計算等應用的需求。

LRDIMM的缺點是：

• 與RDIMM相比，價格更貴。
• 對主板的兼容性要求較高。
• LRDIMM主要用于高性能計算、數(shù)據(jù)庫等需要大量內(nèi)存和高性能的應用場景。

LRDIMM原理

LRDIMM采用了以下技術來降低內(nèi)存總線的負載和功耗：

• 內(nèi)存隔離緩沖器（iMB）: iMB位于內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊之間，負責緩存內(nèi)存數(shù)據(jù)，從而降低了內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)傳輸量。
• 較低的工作電壓: LRDIMM的工作電壓為1.35V，比RDIMM的1.5V降低了10%。

LRDIMM的工作原理如下：

• 內(nèi)存控制器向iMB發(fā)送內(nèi)存請求。
• iMB緩存內(nèi)存數(shù)據(jù)。
• iMB向內(nèi)存模塊發(fā)送內(nèi)存請求。
• 內(nèi)存模塊響應內(nèi)存請求，將數(shù)據(jù)傳送給iMB。
• iMB將數(shù)據(jù)發(fā)送給內(nèi)存控制器。

通過采用iMB和較低的工作電壓，LRDIMM可以有效降低內(nèi)存總線的負載和功耗。

具體來說，iMB可以降低內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)傳輸量，從而降低了內(nèi)存總線的負載。較低的工作電壓可以降低內(nèi)存模塊的功耗，從而降低了內(nèi)存總線的功耗。

LRDIMM的這些優(yōu)勢，使其在高性能計算、數(shù)據(jù)庫等需要大量內(nèi)存和高性能的應用場景中得到了廣泛應用。

RDIMM

RDIMM是Registered DIMM的縮寫，中文意思是“注冊雙列直插內(nèi)存”。它是一種用于服務器的內(nèi)存模塊，在內(nèi)存條上增加了一個寄存器，用于緩存內(nèi)存數(shù)據(jù)，從而降低了內(nèi)存總線的負載和延遲。

RDIMM與傳統(tǒng)的UDIMM相比，具有以下優(yōu)勢：

• 降低了內(nèi)存總線的負載，可以提高內(nèi)存總線的頻率，從而提高內(nèi)存的性能。
• 降低了內(nèi)存延遲，可以提高內(nèi)存的響應速度。
• 支持更高的容量，可以滿足大數(shù)據(jù)存儲等應用的需求。

RDIMM的缺點是：

• 與UDIMM相比，價格更貴。
• 對主板的兼容性要求較高。

RDIMM主要用于服務器、工作站等需要高性能和穩(wěn)定性的應用場景。

RDIMM的工作原理如下：

• 內(nèi)存控制器向RDIMM發(fā)送內(nèi)存請求。
• RDIMM的寄存器緩存內(nèi)存數(shù)據(jù)。
• 內(nèi)存控制器從RDIMM的寄存器中讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)。

通過采用寄存器，RDIMM可以將內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間的數(shù)據(jù)傳輸延遲降低，從而提高內(nèi)存的性能。

此外，RDIMM還可以將內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間的數(shù)據(jù)傳輸量降低，從而降低內(nèi)存總線的負載。

RDIMM原理

RDIMM的工作原理如下：

• 內(nèi)存控制器向RDIMM發(fā)送內(nèi)存請求。
• RDIMM的寄存器緩存內(nèi)存數(shù)據(jù)。
• 內(nèi)存控制器從RDIMM的寄存器中讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)。

通過采用寄存器，RDIMM可以將內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間的數(shù)據(jù)傳輸延遲降低，從而提高內(nèi)存的性能。

此外，RDIMM還可以將內(nèi)存控制器與內(nèi)存模塊之間的數(shù)據(jù)傳輸量降低，從而降低內(nèi)存總線的負載。

UDIMM SODIMM RDIMM LRDIMM的區(qū)別

UDIMM是無緩沖的DIMM模塊，用于臺式機和筆記本電腦。它具有較低的成本和功耗，但延遲較高。

SODIMM是小型DIMM模塊，用于筆記本電腦和小型設備。它具有較小的尺寸和重量，但延遲和功耗與UDIMM類似。

RDIMM是注冊的DIMM模塊，用于服務器和工作站。它具有較低的延遲和更高的容量，但成本較高。

LRDIMM是低負載的DIMM模塊，用于服務器和工作站。它具有較低的延遲、功耗和更高的容量，但成本最高

MCR內(nèi)存對比其他內(nèi)存

MCR是內(nèi)存控制器注冊（Memory Controller Registered）的DIMM模塊，用于服務器和工作站。它具有較低的延遲和功耗，但成本較高。

UDIMM是無緩沖的DIMM模塊，用于臺式機和筆記本電腦。它具有較低的成本和功耗，但延遲較高。

SODIMM是小型DIMM模塊，用于筆記本電腦和小型設備。它具有較小的尺寸和重量，但延遲和功耗與UDIMM類似。

RDIMM是注冊的DIMM模塊，用于服務器和工作站。它具有較低的延遲和更高的容量，但成本較高。

LRDIMM是低負載的DIMM模塊，用于服務器和工作站。它具有較低的延遲、功耗和更高的容量，但成本最高。

一般來說，MCR適用于需要高性能、低延遲和高可靠性的應用，如服務器和工作站。UDIMM適用于對成本和功耗敏感的應用，如臺式機和筆記本電腦。RDIMM適用于需要高性能和低延遲的應用，如服務器和工作站。LRDIMM適用于需要高性能、低延遲和高容量的應用，如高性能計算。

以下是不同類型的DIMM模塊的優(yōu)缺點：

• MCR：優(yōu)點：低延遲、低功耗、高可靠性；缺點：成本高。
• UDIMM：優(yōu)點：成本低、功耗低；缺點：延遲高。
• SODIMM：優(yōu)點：尺寸小、重量輕；缺點：延遲和功耗與UDIMM類似。
• RDIMM：優(yōu)點：低延遲、高容量；缺點：成本高。
• LRDIMM：優(yōu)點：低延遲、低功耗、高容量；缺點：成本最高。

在選擇DIMM模塊時，需要根據(jù)實際的應用場景來選擇合適的類型。如果需要高性能、低延遲和高可靠性的應用，則可以選擇MCR。如果需要對成本和功耗敏感的應用，則可以選擇UDIMM。如果需要高性能和低延遲的應用，則可以選擇RDIMM。如果需要高性能、低延遲和高容量的應用，則可以選擇LRDIMM。文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-685745.html

到了這里，關于MCR內(nèi)存（Multiplexer Combined Ranks）是一種新型內(nèi)存技術，由英特爾、瑞薩電子和SK海力士聯(lián)合開發(fā)的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容，請在右上角搜索TOY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關文章，希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)！