前言
? ? ? ? 配置GPIO口是我們軟件開(kāi)發(fā)中必須要掌握的，每個(gè)模式的作用效果也是需要清楚的。如果連gpio應(yīng)該配置成什么模式都不懂，是無(wú)法進(jìn)行后面的開(kāi)發(fā)的。
1. 輸入模式
1.1? 浮空輸入模式
I/O端口的電平信號(hào)進(jìn)入輸入數(shù)據(jù)寄存器。I/O的電平狀態(tài)是不確定的（高阻態(tài)），完全由外部輸入決定。
其中TTL施密特觸發(fā)器的作用是整形作用（正弦波整成方波），將輸入的信號(hào)以邏輯“0”或者“1”的形式呈現(xiàn)給IDR（輸入數(shù)據(jù)寄存器）。
1.2? 上拉輸入模式
打開(kāi)內(nèi)部上拉功能，在I/O端口懸空（在無(wú)信號(hào)輸入）的情況下，輸入端的電平可以保持在高電平。
1.3? 下拉輸入模式
打開(kāi)內(nèi)部下拉功能，在I/O端口懸空（在無(wú)信號(hào)輸入）的情況下，輸入端的電平可以保持在低電平。
?1.4? 模擬輸入模式
I/O端口的模擬信號(hào)（電壓信號(hào)）直接模擬輸入到片上外設(shè)模塊，比如ADC、DAC等。
2. 輸出模式
輸出模式的通斷由輸出驅(qū)動(dòng)器控制，其中的P-MOS、N-MOS管部分電路可以等效成右圖所示電路。
N-MOS管：Ug > Us時(shí)導(dǎo)通，Ug = Us = 0V時(shí)截止；
P-MOS管：Ug < Us時(shí)導(dǎo)通，Ug = Us = 0v時(shí)截止。
下圖所示，P-MOS管的S極接vdd，所以P-MOS管要導(dǎo)通，G極電壓就要小于S極，所以G極低電平的時(shí)候P-MOS管導(dǎo)通；
N-MOS管S極接vss（地為0v），N-MOS管要導(dǎo)通，G極電壓就要大于S極，所以G極高電平的時(shí)候N-MOS管導(dǎo)通；
2.1? 開(kāi)漏輸出模式
開(kāi)漏輸出模式下，TTL施密特觸發(fā)器是開(kāi)啟的，可以讀取I/O口的狀態(tài)；
P-MOS管G極接vdd處于高電平，始終不工作、導(dǎo)通；
N-MOS管G極輸出一個(gè)低電平（輸出電平信號(hào)從ODR輸出數(shù)據(jù)寄存器中得來(lái)）的時(shí)候，N-MOS管導(dǎo)通工作，G極輸出高電平時(shí)，N-MOS管不導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候I/O的電平狀態(tài)是不確定的，這就是為什么配置為開(kāi)漏輸出后，無(wú)法控制為高電平，需要外接一個(gè)上拉電阻，使I/O口處于高電平。
2.2? 復(fù)用開(kāi)漏輸出模式
此模式與開(kāi)漏輸出的區(qū)別就是，它的輸出端來(lái)自①處的復(fù)用功能輸出，例如I/O配置為uart、i2c等復(fù)用功能；電路工作原理同開(kāi)漏輸出模式一樣。
2.3? 推挽輸出模式
推挽輸出模式下，TTL施密特觸發(fā)器也是開(kāi)啟的，IDR中可以讀取到I/O口的狀態(tài)；
兩個(gè)MOS管的G極處接有一個(gè)反向器，當(dāng)ODR（輸出數(shù)據(jù)寄存器）中輸出邏輯“0”信號(hào)時(shí)，經(jīng)控制電路的反向器輸出邏輯“0”信號(hào)到MOS管，上面已經(jīng)分析了，P-MOS管G極輸出邏輯“0”信號(hào)導(dǎo)通，N-MOS管G極輸出邏輯“1”信號(hào)導(dǎo)通。所以綜上就可以總結(jié)為：ODR輸出“0”，N-MOS管導(dǎo)通，I/O口連接VSS輸出為低電平；ODR輸出“1”，P-MOS管導(dǎo)通，I/O口連接VDD輸出為高電平；
推挽輸出模式的驅(qū)動(dòng)能力也是比較強(qiáng)的。
?2.4? 復(fù)用推挽輸出模式
此模式與推挽輸出模式唯一不同的就是輸出端接的是①處的復(fù)用功能輸出，其它功能原理都一樣
????，例如I/O配置為uart、i2c、spi等復(fù)用功能。
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雞湯向
? ? ? ? 在現(xiàn)如今浮躁的社會(huì)風(fēng)氣下，我們更應(yīng)該沉住氣，靜下心來(lái)去思考，不斷的去提升自己，而不是五花八門(mén)的，一時(shí)一個(gè)想法。繁華中自律~文章來(lái)源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-535605.html
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