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芯片F(xiàn)T測試主要流程

這篇具有很好參考價值的文章主要介紹了芯片F(xiàn)T測試主要流程。希望對大家有所幫助。如果存在錯誤或未考慮完全的地方,請大家不吝賜教,您也可以點擊"舉報違法"按鈕提交疑問。

背景:最近剛了解mps公司的mp系列某芯片的測試流程,在此做個簡單記錄。

1.HW check
芯片太小,一般是把芯片放在socket上,連接測試板,再連接測試機,進(jìn)行芯片功能的測試。
我們首先需要保證這些硬件是好的,這一步便是確定硬件上元器件、各通路的好壞。

2.INIT
初始化,常是獲取測試時間、坐標(biāo)、連接的是哪些site等信息。

3.Contact
在其他功能測試前進(jìn)行的測試,主要包括測試各引腳的接觸電壓和開爾文電阻。
在芯片內(nèi)部,各引腳之間有二極管,接觸電壓測量的是二極管電壓,確定二極管工作良好/無引腳間的短路。如open,則測量情況和HW check的電壓一致。
測量的開爾文電阻是接觸電阻,其中包括socket和芯片引腳接觸的電阻、整條線路上的電阻。有時候kelvin電阻太大,可能是繼電器問題。正常來說,繼電器的2和3引腳、6和7引腳之間有電阻,一般為0.3Ω。

3.Switch_BV
BV表示breakdown voltage,該測試項容易損壞芯片,不常做。

4.Leakage
測量該測試項的時候EN是置為0,即芯片未打開。
理論上,芯片未打開,輸入管腳有無窮大的阻抗,幾乎無電流流入或流出。但實際上,阻抗雖然大卻很有限,有較小進(jìn)出設(shè)備的電流。
要測某個引腳的漏電流,必須把其他引腳功能關(guān)掉,放置干擾。該測試項測量了上管、下管、各引腳的漏電流。

5.ActiveCurrent
把EN拉通后,各引腳的電壓。

6.Functional
主要是測量boost regulator 和 vcc regulator的情況。

7.Logic
這部分是為了解EN、VIN在什么值的情況下,芯片進(jìn)行工作/停止工作??梢杂胒or循環(huán)和AWG緩慢升電壓,得到準(zhǔn)確值。還有對遲滯的計算和其值合不合理的判斷。

8.Timing
用QTMU測量周期/頻率。包括SW的頻率、占空比、軟啟動時間等。
當(dāng)周期太小,比如ns級別,就需要用示波器去觀察波形了。

9.RdsonILimit
測量上下管的電阻,是mΩ量級的。因為太小了,如何保證精度、如何測量非常重要!
在測量上管的極限電流,直接測量容易損壞上管。FB的電壓和上管電流成線性關(guān)系,轉(zhuǎn)換關(guān)系,直到FB的最大電壓和線性關(guān)系,就可以求得上管的極限電流。
測量上管的極限電流也是為了更好地保護(hù)上管,防止超過其正常工作的條件。

10.PostLeakage
經(jīng)過上一個測試項,芯片有一微小概率壞掉,所以再加入對芯片好壞的檢測。因為若損壞,給typ電壓時比較明顯,故進(jìn)行typ電壓下的部分漏電流測試項。

11.PostContact
再次進(jìn)行連接、接觸好壞的檢測。文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-415631.html

到了這里,關(guān)于芯片F(xiàn)T測試主要流程的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容,請在右上角搜索TOY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關(guān)文章,希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)!

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