HFSS仿真3dB微帶雙分支定向耦合器
設(shè)計(jì)要求:
設(shè)計(jì)一個(gè)3dB微帶雙分支定向耦合器,各端口微帶線特性阻抗為50Ω,中心頻率為5GHz,介質(zhì)基板的介電常數(shù)9.6,基板厚度為0.8mm
這里重點(diǎn)講解HFSS的操作,關(guān)于理論知識(shí)后面文章更新。
1、 求解器設(shè)置
求解器選擇模式驅(qū)動(dòng)求解
2、 建模
整個(gè)微帶雙分支定向耦合器的結(jié)構(gòu)分為3dB耦合器、介質(zhì)板和接地板。
為了后面方便參數(shù)分析和優(yōu)化設(shè)計(jì),設(shè)置幾個(gè)變量(這些值都是理論計(jì)算的結(jié)果)
介質(zhì)基板的長(zhǎng)度 | sub_L | L0+L2+L0+2*W1 |
---|---|---|
介質(zhì)基板的寬度 | sub_W | W1+W2+L1+5mm |
介質(zhì)基板的厚度 | sub_h | 0.8mm |
輸入端口的長(zhǎng)度 | L0 | 4.32mm |
50歐姆微帶線的寬度 | W1 | 0.799mm |
50歐姆微帶線的長(zhǎng)度 | L1 | 5mm |
35.4歐姆微帶線的寬度 | W2 | 1.502mm |
35.4歐姆微帶線的寬度 | L2 | 5.669mm |
3dB耦合器建模
材料:PEC
模型:長(zhǎng)方形
端口1微帶線坐標(biāo):
端口2微帶線坐標(biāo):
端口3微帶線坐標(biāo)
端口4微帶線坐標(biāo):
AB段微帶線坐標(biāo):
BC段微帶線坐標(biāo):
CD段微帶線坐標(biāo):
DA段微帶線坐標(biāo):
介質(zhì)板建模:
材料:介電常數(shù)9.6,厚度0.8mm
模型:長(zhǎng)方體
坐標(biāo):
接地板:
材料:PEC
模型:長(zhǎng)方形
坐標(biāo):
將3dB微帶耦合器的模型合并成一個(gè)整體,最終建立的模型圖如下:
3、 邊界條件設(shè)置
接地面和3dB微帶耦合器設(shè)置成理想導(dǎo)體邊界條件(Perfect E)
輻射邊界條件(空氣盒子):
模型:長(zhǎng)方體
右鍵設(shè)置邊界條件—輻射邊界條件Radiation
4、 激勵(lì)方式設(shè)置
激勵(lì)方式:集總端口激勵(lì)(lumped port)
模型:長(zhǎng)方形
Port1坐標(biāo):
Port2坐標(biāo):
Port3坐標(biāo):
Port4坐標(biāo):
以端口1為例,右鍵—assign excitation —lumped port
5、 掃頻設(shè)置
求解中心頻率為5GHz,迭代次數(shù)為20,收斂誤差為0.02
掃頻方式:快速掃頻,掃頻范圍:3GHz~7GHz,步進(jìn):0.002GHz
6、 設(shè)計(jì)檢查,仿真分析
設(shè)計(jì)檢查沒(méi)有問(wèn)題,進(jìn)行仿真分析,點(diǎn)擊analysis—setup1—sweep—analyze,進(jìn)行仿真
7、 數(shù)據(jù)后處理
右鍵點(diǎn)擊狀態(tài)樹(shù)下的results----create modal solution data report—rectangular plot,選擇S11,S21,S31,S41,點(diǎn)擊new report,即可成圖文章來(lái)源:http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-767978.html
從圖中可看出,耦合度為-2.59dB,插損為3.57dB,反射系數(shù)為-27.85dB,隔離度為-29.92dB。文章來(lái)源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-767978.html
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