關(guān)于P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET？
P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET是一種常見的功率場效應(yīng)晶體管，它主要用于功率放大和開關(guān)電路。與N溝道增強(qiáng)型MOSFET相比，P溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理相反。
在P溝道增強(qiáng)型MOSFET中，溝道區(qū)域是由P型材料形成的。當(dāng)施加正電壓到晶體管柵極上時，電場會吸引正電荷到柵極下方，導(dǎo)致柵極上方的P溝道區(qū)域中形成一個N型的導(dǎo)電通道。這個導(dǎo)電通道連接了源極和漏極，允許電流流動。
P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有以下特點：
- 具有低導(dǎo)通電阻：由于導(dǎo)電通道中的N型區(qū)域較小，所以P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻，可以實現(xiàn)高效率的功率放大和開關(guān)操作。
- 高輸入阻抗：由于柵極和導(dǎo)電通道之間存在一個絕緣層，所以P溝道增強(qiáng)型MOSFET具有較高的輸入阻抗，可以減少輸入信號的損耗。
- 反向擊穿電壓高：P溝道增強(qiáng)型MOSFET的柵極和溝道之間的絕緣層可以承受較高的反向擊穿電壓，具有較好的耐壓性能。
P溝道增強(qiáng)型MOSFET在各種應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用，例如功率放大器、開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器等。它們可以提供高性能、高效率和可靠性的功率控制解決方案。
FQPF27P06 深力科產(chǎn)品詳情：
關(guān)于FQPF27P06 P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET使用專有的平面條紋和DMOS技術(shù)這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)專為降低導(dǎo)通電阻而設(shè)計，并提供卓越性能開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。這些設(shè)備適用于開關(guān)模式電源、音頻放大器、直流電機(jī)控制和可變開關(guān)功率應(yīng)用程序。
其主要優(yōu)勢和特點如下:
1.-17A, -60V, RDS(on)= 26mΩ（最大值）
? ? ?@VGS = -10 V, ID = -8.5A ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
2.柵極電荷低（典型值：33nC)
3.低 Crss（典型值120pF)
4.100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
5.175°C最大結(jié)溫額定值"
應(yīng)用領(lǐng)域：
手機(jī)數(shù)碼充電器 ?
空氣凈化器 ?
音頻放大器 ?
雙向儲能 ?
軍工不間斷電源文章來源：http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-677254.html
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