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[深入理解NAND Flash (失效篇) ] NAND VT Distribution 和失效模式

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全文 2800 字，內(nèi)容摘要：

1 從NMOS Vt到FGNMOS Vt

2 Vt Distribution

3?Vt Distribution 惡化之源

? ? 3.1 P/E cycle increase

? ? 3.2 Data Retention

? ? 3.3 Program/Read Disturb

? ? 3.4 溫度對 VT 的影響

4 由Vt 電壓判斷數(shù)據(jù)

? ? 4.1 正常讀取數(shù)據(jù)

? ? 4.2 讀數(shù)據(jù)出錯處理

前言

Vt Distribution是NAND Flash非常重要的一個特性。

1 從NMOS Vt到FGNMOS Vt

閾值電壓(Vt或Vth)的概念是從MOS(Metal-Oxide-Semicondut文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-623907.html

到了這里，關(guān)于[深入理解NAND Flash (失效篇) ] NAND VT Distribution 和失效模式的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容，請在右上角搜索TOY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關(guān)文章，希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)！

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