1.概述
(1)激勵(lì)
·所謂激勵(lì),顧名思義就是指在進(jìn)行仿真分析時(shí)需要提供的激勵(lì)信號(hào)源
·在CST微波工作室中,提供了多種不同類(lèi)型的激勵(lì)源,用于分析不同類(lèi)型問(wèn)題的分析
·在運(yùn)行仿真分析之前,至少要設(shè)置一個(gè)激勵(lì)源作為結(jié)構(gòu)的輸入信號(hào)激勵(lì)
(2)激勵(lì)類(lèi)型
端口激勵(lì)(Port):既可以分析給出S參數(shù),也可以分析給出場(chǎng)分析
——離散端口(Discrete Ports)
——波導(dǎo)端口(waveguide Ports)
場(chǎng)源激勵(lì)(Field Source):只能分析給出場(chǎng)分布
——平面波激勵(lì)(Plane waves)
——遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)激勵(lì)(Farfield Sources)
——近區(qū)場(chǎng)激勵(lì)(Nearfield Sources)
(3)負(fù)載——集總元件(Lumped Element)
2.波導(dǎo)端口—Waveguide Port
(1)什么是波導(dǎo)端口
·波導(dǎo)端口模擬一段連接在結(jié)構(gòu)模型上的無(wú)限長(zhǎng)的波導(dǎo),因?yàn)椴▽?dǎo)端口模式匹配良好,幾乎能夠全部吸收結(jié)構(gòu)模型內(nèi)傳輸過(guò)來(lái)電磁波,從而能夠達(dá)到很高的仿真精度
·波導(dǎo)端口默認(rèn)的輸入激勵(lì)信號(hào)功率是1W
(2)設(shè)置操作和端口對(duì)話框
(3)應(yīng)用范圍
·波導(dǎo)結(jié)構(gòu)模型
·同軸線結(jié)構(gòu)模型
·微帶線/帶狀線/共面波導(dǎo)等傳輸線結(jié)構(gòu)模型
3. 離散端口—Discrete Port
(1)什么是離散端口
·離散端口是由具有內(nèi)阻的電流源組成,設(shè)置于結(jié)構(gòu)模型內(nèi)部
·定義更簡(jiǎn)單,只需要定義域結(jié)構(gòu)相連的兩個(gè)管腳即可
·端口的電長(zhǎng)度最好小于1/10個(gè)波長(zhǎng)
(2)離散端口的設(shè)置
·離散棱邊端口
·離散表面端口
4.平面波激勵(lì)— Plane Waves
平面波激勵(lì)是模擬從無(wú)限遠(yuǎn)處發(fā)射過(guò)來(lái)的電磁波激勵(lì),主要用于RCS一類(lèi)的散射問(wèn)題的分析
只分析遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng),不計(jì)算s參數(shù)
使用平面波激勵(lì)需要設(shè)置開(kāi)放邊界條件(Open)
5.場(chǎng)源激勵(lì)
遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)激勵(lì)
近區(qū)場(chǎng)激勵(lì)
6.波導(dǎo)端口平面設(shè)置
(1)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
(2)同軸線結(jié)構(gòu)
(3)微帶線
微帶線是微波/射頻領(lǐng)域常用的傳輸線,其端口大小是波導(dǎo)端口設(shè)置對(duì)要考慮的重要因素。一方面,端口要足夠大以覆蓋準(zhǔn)TEM模的重要都分:另一方西,端口又不能太大,會(huì)激發(fā)高次模
如果激發(fā)高次模,會(huì)造成時(shí)域求解器能量衰減十分緩慢,在頻譜結(jié)果中會(huì)看到非常多的毛刺
分析完成后,查看端口處的場(chǎng)分布,確認(rèn)端口大小是否合適
(經(jīng)驗(yàn)值)
(4)共面線/共面波導(dǎo)
7.負(fù)載——lumped element
8. 總結(jié)
(1)端口激勵(lì)(Port)
·離散端口(Discrete Ports),波導(dǎo)端口(Waveguide Ports)
·既可以分析給出S參數(shù)結(jié)果,也可以分析給出場(chǎng)分布結(jié)果
(2)場(chǎng)源激勵(lì)(Field Source)
·平面波激勵(lì)(Plane Waves)
·遠(yuǎn)區(qū)場(chǎng)激勵(lì)(Farfield Sources),近區(qū)場(chǎng)激勵(lì)(Nearfield Sources)
·只能分析給出場(chǎng)分布結(jié)果
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(4)負(fù)載——集總元件(Lumped Element)文章來(lái)源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-606454.html
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