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亞閾值區(qū)MOSFET閾值電壓Vth隨溫度變化曲線仿真【Cadence】

2年前作者：一只帥饅頭分類(lèi)：Toy博客閱讀(24)違法舉報(bào)

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亞閾值區(qū)NMOS Vth隨溫度變化曲線仿真【cadence】

一、測(cè)試電路搭建

這里我使用的工藝是SIMC的0.18微米工藝庫(kù)，電路如下圖：
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其中NMOS的W/L設(shè)為6u/3u，可根據(jù)實(shí)際情況而定。

二、ADE_L仿真環(huán)境設(shè)置

Vds的初始值設(shè)定為80mV，Vgs的初始值設(shè)定為200mV，目的是保證NMOS工作于亞閾值區(qū)。
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選擇使用dc分析，勾選Save DC Opearting point選項(xiàng)后，點(diǎn)擊OK。
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點(diǎn)擊Tools，選擇parametric Analysis，掃描溫度變量temp，掃描方式隨意，點(diǎn)擊綠色運(yùn)行按鈕。
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返回ADL_X界面，選擇Results Browser
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在左上角選擇dcOpinfo，然后選擇NM1，在左下角雙擊Vth，即可得到Vthy隨溫度變化的曲線了（如右圖所示）。
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