本文參考相關(guān)書籍，僅供學(xué)習(xí)LNA的過程記錄。
在設(shè)計LNA之前，要選取合適的MOS管，要對MOS管進行分析
在確定工藝之后，主要仿真兩個方面，一個是Vgs對于NFmin，Gmax，二是柵寬對NFmin，Gmax的影響（由于柵長一般選取該工藝下的最小柵長）
由于柵長L減少
所以L越小,fT越大，F(xiàn)min越小，可以保證噪聲系數(shù)較小。
采用Cadence Virtuoso進行電路級仿真：
MOS管仿真電路如下：
?
?從PORT0輸入，輸入端接一個10pF的隔直電容，Vgs作為偏置電壓，V0接R2電阻，，MOS管的源極原本需要直接接地，但是在實際中，會有封裝電感，因此接一個封裝電感接地，MOS管的漏級接Vds，輸出端同樣添加隔直電容。
注：Vgs，Vds以及MOS管的柵寬設(shè)置為變量，要進行掃參
選擇UMC55nm工藝的MOS管，設(shè)置柵長為100nm，柵寬 N 作為變量，F(xiàn)inger數(shù)作為變量
?文章來源：http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-437911.html
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其中關(guān)于PORT的設(shè)置：
Sp仿真實際上是小信號仿真，在MOS管小信號仿真時，設(shè)置輸入端PORT一般采用信號源為sin的小信號。PORT0設(shè)置如下：
frf是工作頻率，prf作為輸入信號功率（電壓）
關(guān)于輸出PORT源類型采用DC
?設(shè)置完成之后，就要進行仿真了
點開Analog environment，進行仿真環(huán)境設(shè)置
對NFmin以及Gmax仿真，需要采用DC和SP仿真
對于相關(guān)變量進行設(shè)置：選定工作頻率為1.6GH在，finger數(shù)先設(shè)置為2個finger
參數(shù)設(shè)置后開始對仿真環(huán)境進行設(shè)置?
進行SP仿真環(huán)境設(shè)置
再進行DC仿真設(shè)置
在SP參數(shù)設(shè)置中，我們將柵寬設(shè)置為變量，同時，我們希望得出Vgs對于NFmin的影響，因此需要額外設(shè)置一個掃參設(shè)置，
步驟如下：
?
選擇TOOLS----點開Parameteric Analysis?
即出現(xiàn)以下界面
?對Vgs進行設(shè)置，設(shè)置之后，點擊該界面上的綠色運行標志，即可運行
（若運行不成功，很有可能是電路沒有checksave）
運行結(jié)束之后，返回仿真界面，進行繪制，點擊Results---Direct plot--main formm
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點擊Plot即可
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可以看到?
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需要觀察在5.5GHz高頻部分的噪聲，只需要在SP仿真設(shè)置中的頻率更改為5.5GHz，仿真之后的結(jié)果為
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?至此，仿真已經(jīng)結(jié)束~文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-437911.html
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