三種元件的特性比較
參考：https://www.elecfans.com/d/701446.html，http://www.eepw.com.cn/zhuanlan/268452.html
MOSFET一般簡稱MOS管：由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
元件的特性
從上面可以看出，三極管耐壓好，通斷頻率差；MOS管控制電壓小，允許電流大，而IGBT算是前兩種元件的組合體
參考：https://zhuanlan.zhihu.com/p/526852012，https://zhuanlan.zhihu.com/p/558309110，https://zhuanlan.zhihu.com/p/465785715,https://www.elecfans.com/yuanqijian/sanjiguang/20180815730054.html
三極管表示符號如下圖，
下面IGBT的結(jié)構(gòu)圖可以看作是兩個三極管組合，
下面是IGBT簡單的等效電路，但發(fā)射極E和集電極C指的并不是三極管的，而是指的整個IGBT的
下面是簡單等效電路和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的對照，
導(dǎo)通分析
電力晶體管（Giant Transistor—GTR，直譯為巨型晶體管）耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar JuncTIon Transistor—BJT），英文有時候也稱為Power BJT在電力電子技術(shù)的范圍內(nèi)，GTR與BJT這兩個名稱等效應(yīng)用20世紀(jì)80年代以來，在中、小功率范圍內(nèi)取代晶閘管，但目前又大多被IGBT和功率MOSFET取代。這里的控制部分G可以理解為使用了這種原理。文章來源：http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-406042.html
下圖所示，導(dǎo)通需要兩個條件：1，C極的高電勢將P+的空穴排斥向n-，就像二極管外加正電壓，使得阻抗減小；2，柵極G的電壓使得該極附近的正電荷被排斥，也可以理解為負(fù)電荷吸引，這樣形成了N溝道通路，這和MOS管的功能很像，但不同的是這里源極沒有和襯底相連，沒有寄生二極管的出現(xiàn)。
文章來源地址http://www.zghlxwxcb.cn/news/detail-406042.html
到了這里，關(guān)于三極管，MOS管，IGBT的文章就介紹完了。如果您還想了解更多內(nèi)容，請在右上角搜索TOY模板網(wǎng)以前的文章或繼續(xù)瀏覽下面的相關(guān)文章，希望大家以后多多支持TOY模板網(wǎng)！
